Каталог товаров
Назад

ALD114935PAL

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP


ALD114935PAL характеристики

Производитель Advanced Linear Devices Inc.
Серия EPAD®
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура 0°C ~ 70°C (TJ)
Рассеивание мощности 500mW
Исполнение корпуса 8-PDIP
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Особенности полевого транзистора Depletion Mode
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 10.6V
Ток стока (Id) @ 25°C 12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 Ohm @ 0V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.45V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V

Характеристики

Производитель Advanced Linear Devices Inc.
Серия EPAD®
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура 0°C ~ 70°C (TJ)
Рассеивание мощности 500mW
Исполнение корпуса 8-PDIP
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Особенности полевого транзистора Depletion Mode
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 10.6V
Ток стока (Id) @ 25°C 12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 Ohm @ 0V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.45V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V

ALD114935PAL

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD114935PAL
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка ALD114935PAL по России

Транзисторы — полевые — массивы ALD114935PAL Advanced Linear Devices Inc. доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить ALD114935PAL с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Недавно просмотренные


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1143 ₽
+ 171450 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
75 шт.
от 935 ₽
+ 280500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
47 шт.
от 935 ₽
+ 280500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 703 ₽
+ 210900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
326 шт.
от 1036 ₽
+ 310800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
83 шт.
от 912 ₽
+ 68400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
377 шт.
от 661 ₽
+ 99150 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
33 шт.
от 620 ₽
+ 186000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
46 шт.
от 661 ₽
+ 99150 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
1224 шт.
от 622 ₽
+ 186600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
332 шт.
от 661 ₽
+ 99150 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
58 шт.
от 597 ₽
+ 89550 баллов