ALD114835SCL Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC, Advanced Linear Devices Inc.

ALD114835SCL характеристики	Выбрать все
Серия	EPAD®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	16-SOIC
Тип полевого транзистора	4 N-Channel, Matched Pair
Особенности полевого транзистора	Depletion Mode
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	10.6V
Ток стока (Id) @ 25°C	12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 Ohm @ 0V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.45V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V

Характеристики	Выбрать все
Серия	EPAD®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	16-SOIC
Тип полевого транзистора	4 N-Channel, Matched Pair
Особенности полевого транзистора	Depletion Mode
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	10.6V
Ток стока (Id) @ 25°C	12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 Ohm @ 0V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.45V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V