ALD110900SAL Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC, Advanced Linear Devices Inc.

ALD110900SAL характеристики	Выбрать все
Серия	EPAD®, Zero Threshold™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	8-SOIC
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	10.6V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 Ohm @ 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	20mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V

Характеристики	Выбрать все
Серия	EPAD®, Zero Threshold™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	0°C ~ 70°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	8-SOIC
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	10.6V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 Ohm @ 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	20mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V