94-4764 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 30V 140A TO-262, Infineon Technologies

94-4764 характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-262
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 71A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±16V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-262
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 71A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±16V