94-4156PBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 20V 75A DPAK, Infineon Technologies

94-4156PBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-Pak
Рассеивание мощности (Макс)	90W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1996pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-Pak
Рассеивание мощности (Макс)	90W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1996pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V