74HCT4052D характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-SOIC
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	180MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	4:1
Переключающая схема	SP4T
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	150 Ohm
Напряжение питания (V+)	4.5 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±1 V ~ 5 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	6 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	60ns, 48ns
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	3.5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	2µA
Перекрёстные помехи	-60dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-SOIC
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	180MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	4:1
Переключающая схема	SP4T
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	150 Ohm
Напряжение питания (V+)	4.5 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±1 V ~ 5 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	6 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	60ns, 48ns
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	3.5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	2µA
Перекрёстные помехи	-60dB @ 1MHz

74HCT4052D

74HCT4052D характеристики