64-9144 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET, Infineon Technologies

64-9144 характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric ST
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ ST
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 42W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	14A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.1 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric ST
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ ST
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 42W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	14A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.1 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V