64-4092PBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK, Infineon Technologies

64-4092PBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	68W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	880pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±16V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	68W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	880pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±16V