64-2096PBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7, Infineon Technologies

64-2096PBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK (7-Lead)
Рассеивание мощности (Макс)	300W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	75V
Ток стока (Id) @ 25°C	160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 110A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7580pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK (7-Lead)
Рассеивание мощности (Макс)	300W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	75V
Ток стока (Id) @ 25°C	160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 110A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7580pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V