62-0095PBF характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	-
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	-
Рассеивание мощности (Макс)	2W
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.4 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	-
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	-
Рассеивание мощности (Макс)	2W
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.4 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V

62-0095PBF

62-0095PBF характеристики