2SK4150TZ-E характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92
Рассеивание мощности (Макс)	750mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 Ohm @ 200mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.7nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92
Рассеивание мощности (Макс)	750mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 Ohm @ 200mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.7nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Vgs (Max)	±10V

2SK4150TZ-E

2SK4150TZ-E характеристики