2SK3943-ZP-E1-AY характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-263
Рассеивание мощности (Макс)	1.5W (Ta), 104W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 41A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5800pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-263
Рассеивание мощности (Макс)	1.5W (Ta), 104W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 41A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5800pF @ 10V

2SK3943-ZP-E1-AY

2SK3943-ZP-E1-AY характеристики