2SK3662(F) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSIII
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220NIS
Рассеивание мощности (Макс)	35W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5 mOhm @ 18A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5120pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSIII
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220NIS
Рассеивание мощности (Макс)	35W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5 mOhm @ 18A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5120pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

2SK3662(F)

2SK3662(F) характеристики