2SK3566(STA4,Q,M) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	?-MOSIV
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220SIS
Рассеивание мощности (Макс)	40W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	900V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4 Ohm @ 1.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	?-MOSIV
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220SIS
Рассеивание мощности (Макс)	40W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	900V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4 Ohm @ 1.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

2SK3566(STA4,Q,M)

2SK3566(STA4,Q,M) характеристики