2SK3541T2L характеристики	Выбрать все
Производитель	Rohm Semiconductor
Серия	-
Part Status	Not For New Designs
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-723
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	VMT3
Рассеивание мощности (Макс)	150mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13pF @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Rohm Semiconductor
Серия	-
Part Status	Not For New Designs
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-723
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	VMT3
Рассеивание мощности (Макс)	150mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13pF @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Vgs (Max)	±20V

2SK3541T2L

2SK3541T2L характеристики