2SK3483-AZ характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-251 (MP-3)
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta), 40W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 14A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-251 (MP-3)
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta), 40W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 14A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

2SK3483-AZ

2SK3483-AZ характеристики