2SK3309(TE24L,Q) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220SM
Рассеивание мощности (Макс)	65W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	450V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220SM
Рассеивание мощности (Макс)	65W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	450V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

2SK3309(TE24L,Q)

2SK3309(TE24L,Q) характеристики