2SK3065T100 характеристики	Выбрать все
Производитель	Rohm Semiconductor
Серия	-
Part Status	Not For New Designs
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-243AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	MPT3
Рассеивание мощности (Макс)	500mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 1A, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Rohm Semiconductor
Серия	-
Part Status	Not For New Designs
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-243AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	MPT3
Рассеивание мощности (Макс)	500mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 1A, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Vgs (Max)	±20V

2SK3065T100

2SK3065T100 характеристики