2SK2715TL характеристики	Выбрать все
Производитель	Rohm Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	CPT3
Рассеивание мощности (Макс)	20W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Rohm Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	CPT3
Рассеивание мощности (Макс)	20W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

2SK2715TL

2SK2715TL характеристики