2SJ673-AZ характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Isolated Tab
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220 Isolated Tab
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 32W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 18A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4600pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Isolated Tab
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220 Isolated Tab
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 32W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 18A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4600pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

2SJ673-AZ

2SJ673-AZ характеристики