2SJ162-E характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3P-3, SC-65-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-3P
Рассеивание мощности (Макс)	100W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	160V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Renesas Electronics America
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3P-3, SC-65-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-3P
Рассеивание мощности (Макс)	100W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	160V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±15V

2SJ162-E

2SJ162-E характеристики