2N7002TQ-7-F характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-523
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-523
Рассеивание мощности (Макс)	150mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-523
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-523
Рассеивание мощности (Макс)	150mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

2N7002TQ-7-F

2N7002TQ-7-F характеристики