2N7002PW,115 от 60 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А; 0,26Вт, Nexperia USA Inc.

2N7002PW,115 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-70, SOT-323
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-323-3
Рассеивание мощности (Макс)	260mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-70, SOT-323
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-323-3
Рассеивание мощности (Макс)	260mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V