2N7002PV,115 характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	330mW
Исполнение корпуса	SOT-666
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	330mW
Исполнение корпуса	SOT-666
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V

2N7002PV,115

2N7002PV,115 характеристики