2N7002H-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	370mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	26pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	370mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	26pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	±20V

2N7002H-7

2N7002H-7 характеристики