2N7002BKT,115 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-75, SOT-416
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SC-75
Рассеивание мощности (Макс)	260mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-75, SOT-416
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SC-75
Рассеивание мощности (Макс)	260mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

2N7002BKT,115

2N7002BKT,115 характеристики