2N7002BKS,115 от 51 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А, Nexperia USA Inc.

2N7002BKS,115 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	295mW
Исполнение корпуса	6-TSSOP
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	295mW
Исполнение корпуса	6-TSSOP
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V