2N7000 от 110 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92, ON Semiconductor

2N7000 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92-3
Base Part Number	2N7000
Рассеивание мощности (Макс)	400mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92-3
Base Part Number	2N7000
Рассеивание мощности (Макс)	400mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V