2N7000,126 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Box (TB)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92-3
Рассеивание мощности (Макс)	830mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Box (TB)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92-3
Рассеивание мощности (Макс)	830mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±30V

2N7000,126

2N7000,126 характеристики