2N6661 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-39
Рассеивание мощности (Макс)	725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	90V
Ток стока (Id) @ 25°C	860mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-39
Рассеивание мощности (Макс)	725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	90V
Ток стока (Id) @ 25°C	860mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

2N6661

2N6661 характеристики