2N3906-G характеристики	Выбрать все
Производитель	Comchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Box (TB)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92
Тип транзистора	PNP
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	200mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	40V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
Обратный ток коллектора (Max)	100nA (ICBO)
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	30 @ 100mA, 1V
Трансформация частоты	250MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Comchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Box (TB)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92
Тип транзистора	PNP
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	200mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	40V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
Обратный ток коллектора (Max)	100nA (ICBO)
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	30 @ 100mA, 1V
Трансформация частоты	250MHz

2N3906-G

2N3906-G характеристики