1N5712 характеристики	Выбрать все
Производитель	Microsemi Corporation
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	DO-204AH, DO-35, Axial
Исполнение корпуса	DO-35 (DO-204AH)
Тип диода	Schottky
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	75mA
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	1V @ 35mA
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	150nA @ 16V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	20V
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рабочая температура pn-прехода	-65°C ~ 150°C
Емкость @ Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Microsemi Corporation
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	DO-204AH, DO-35, Axial
Исполнение корпуса	DO-35 (DO-204AH)
Тип диода	Schottky
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	75mA
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	1V @ 35mA
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	150nA @ 16V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	20V
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рабочая температура pn-прехода	-65°C ~ 150°C
Емкость @ Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz

1N5712

1N5712 характеристики