Alliance Memory, Inc.
Новые продукты Alliance Memory, Inc.
Вид | Наименование | |
---|---|---|
AS4C8M16S-7TCN IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP |
||
AS4C8M16S-7TCNTR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP |
||
AS4C8M16SA-6BAN IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54 |
||
AS4C8M16SA-6BANTR IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54 |
||
AS4C8M16SA-6BIN IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54 |
||
AS4C8M16SA-6BINTR IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54 |
||
AS4C8M16SA-6TAN IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток |
||
AS4C8M16SA-6TANTR IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина |
||
AS4C8M16SA-6TCN IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C |
||
AS4C8M16SA-6TCNTR IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C |
||
AS4C8M16SA-6TIN IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток |
||
AS4C8M16SA-6TINTR IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина |
||
AS4C8M16SA-7BCN IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54 |
||
AS4C8M16SA-7BCNTR IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54 |
||
AS4C8M16SA-7TCN IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C |
||
AS4C8M16SA-7TCNTR IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C |
||
AS4C8M32MSA-6BIN IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA |
||
AS4C8M32MSA-6BINTR IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA |
||
AS4C8M32S-6BIN IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA |
||
AS4C8M32S-6BINTR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA |