Alliance Memory, Inc.
Новые продукты Alliance Memory, Inc.
Вид | Наименование | |
---|---|---|
AS4C64M8D2-25BAN IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60 |
||
AS4C64M8D2-25BANTR IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60 |
||
AS4C64M8D2-25BCN IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60 |
||
AS4C64M8D2-25BCNTR IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60 |
||
AS4C64M8D2-25BIN IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60 |
||
AS4C64M8D2-25BINTR IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60 |
||
AS4C64M8D3-12BCN IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78 |
||
AS4C64M8D3-12BCNTR IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78 |
||
AS4C64M8D3-12BIN IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78 |
||
AS4C64M8D3-12BINTR IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78 |
||
AS4C64M8D3L-12BCN IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; лоток |
||
AS4C64M8D3L-12BCNTR IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс |
||
AS4C64M8D3L-12BIN IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; лоток |
||
AS4C64M8D3L-12BINTR IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс |
||
AS4C64M8SA-7TCN IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP |
||
AS4C64M8SA-7TCNTR IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP |
||
AS4C8M16D1-5BCN IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; 0÷70°C |
||
AS4C8M16D1-5BCNTR IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; 0÷70°C |
||
AS4C8M16D1-5BIN IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; лоток |
||
AS4C8M16D1-5BINTR IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; бобина |