Alliance Memory, Inc.
Новые продукты Alliance Memory, Inc.
| Вид | Наименование | |
|---|---|---|
|
AS4C64M32MD1-5BCN IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90 |
|
|
AS4C64M32MD1-5BCNTR IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90 |
|
|
AS4C64M32MD1-5BIN IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90 |
|
|
AS4C64M32MD1-5BINTR IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90 |
|
|
AS4C64M32MD2-25BCN IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA |
|
|
AS4C64M32MD2-25BCNTR IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA |
|
|
AS4C64M32MD2A-25BCN IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA |
|
|
AS4C64M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA |
|
|
AS4C64M4SA-6TIN IC: память DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C |
|
|
AS4C64M4SA-6TINTR IC: память DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C |
|
|
AS4C64M4SA-7TCN IC: память DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C |
|
|
AS4C64M4SA-7TCNTR IC: память DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C |
|
|
AS4C64M8D1-5BCN IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; 0÷70°C |
|
|
AS4C64M8D1-5BCNTR IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; 0÷70°C |
|
|
AS4C64M8D1-5BIN IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; лоток |
|
|
AS4C64M8D1-5BINTR IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; бобина |
|
|
AS4C64M8D1-5TCN IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II |
|
|
AS4C64M8D1-5TCNTR IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II |
|
|
AS4C64M8D1-5TIN IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II |
|
|
AS4C64M8D1-5TINTR IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II |