+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

TSM200N03DPQ33 RGG

  • Описание
    MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
167 ₽
цена с НДС
  • 1 шт
    167 ₽
  • 10 шт
    103 ₽
  • 100 шт
    73 ₽
  • 500 шт
    55 ₽
  • 1000 шт
    46 ₽
  • 2000 шт
    42 ₽
  • 5000 шт
    38 ₽
  • 10000 шт
    35 ₽
  • 15000 шт
    33.6 ₽
  • 25000 шт
    32 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 167 ₽
При покупке кэшбэк 25 баллов
Добавить в корзину
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

TSM200N03DPQ33 RGG характеристики
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerWDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 20W
Исполнение корпуса 8-PDFN (3x3)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 25V
  • Производитель
    Taiwan Semiconductor Corporation

Характеристики
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerWDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 20W
Исполнение корпуса 8-PDFN (3x3)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 25V

TSM200N03DPQ33 RGG

  • Описание
    MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Taiwan Semiconductor Corporation

Бесплатно доставим TSM200N03DPQ33 RGG в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы TSM200N03DPQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить TSM200N03DPQ33 RGG с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
35 шт - 4-6 недель
от 1963 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 294
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
33 шт - 4-6 недель
от 1764 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 265
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
14 шт - 4-6 недель
от 1764 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 265
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1427 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 214
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
46 шт - 4-6 недель
от 1897 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 285
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
48 шт - 4-6 недель
от 1897 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 285
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
303 шт - 4-6 недель
от 1371 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 206
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
40 шт - 4-6 недель
от 1378 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 207
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
95 шт - 4-6 недель
от 1371 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 206
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
1541 шт - 4-6 недель
от 1378 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 207
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
90 шт - 4-6 недель
от 1371 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 206
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
66 шт - 4-6 недель
от 1278 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 192
Смотреть все
Выберите ваш город