TPC8208(TE12L,Q) Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP, Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q) характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Digi-Reel®
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	450mW
Исполнение корпуса	8-SOP (5.5x6.0)
Base Part Number	TPC*208
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.5A, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Digi-Reel®
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	450mW
Исполнение корпуса	8-SOP (5.5x6.0)
Base Part Number	TPC*208
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.5A, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 10V