DMG6601LVT-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	850mW
Исполнение корпуса	TSOT-26
Base Part Number	DMG6601
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.8A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 3.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	422pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	850mW
Исполнение корпуса	TSOT-26
Base Part Number	DMG6601
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.8A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 3.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	422pF @ 15V

DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 характеристики