DMHC10H170SFJ-13 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	12-VDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.1W
Исполнение корпуса	V-DFN5045-12
Тип полевого транзистора	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.9A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1167pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	12-VDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.1W
Исполнение корпуса	V-DFN5045-12
Тип полевого транзистора	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.9A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1167pF @ 25V

DMHC10H170SFJ-13

DMHC10H170SFJ-13 характеристики