VN2450N8-G характеристики	Выбрать все
Производитель	Microchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-243AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-243AA (SOT-89)
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 Ohm @ 400mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Microchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-243AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-243AA (SOT-89)
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 Ohm @ 400mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

VN2450N8-G

VN2450N8-G характеристики