TC8220K6-G характеристики	Выбрать все
Производитель	Microchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	12-VFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	12-DFN (4x4)
Тип полевого транзистора	2 N and 2 P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	56pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Microchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	12-VFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	12-DFN (4x4)
Тип полевого транзистора	2 N and 2 P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	56pF @ 25V

TC8220K6-G

TC8220K6-G характеристики