TC8020K6-G характеристики	Выбрать все
Производитель	Microchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tray
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	56-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	56-QFN (8x8)
Тип полевого транзистора	6 N and 6 P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Microchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tray
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	56-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	56-QFN (8x8)
Тип полевого транзистора	6 N and 6 P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V

TC8020K6-G

TC8020K6-G характеристики