Каталог товаров
Назад

STW26NM60N

  • Описание
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

Характеристики

Производитель STMicroelectronics
Серия MDmesh™ II
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-247-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура 150°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-247-3
Рассеивание мощности (Макс) 140W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600V
Ток стока (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±30V

Характеристики

Производитель STMicroelectronics
Серия MDmesh™ II
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-247-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура 150°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-247-3
Рассеивание мощности (Макс) 140W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600V
Ток стока (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±30V

STW26NM60N

  • Описание
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на STW26NM60N. Transistors - FETs, MOSFETs - Single производства STMicroelectronics доступны для заказа в нашей компании.

Transistors - FETs, MOSFETs - Single STW26NM60N купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.