SQ3987EV-T1_GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.67W
Исполнение корпуса	6-TSOP
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	133 mOhm @ 1.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.67W
Исполнение корпуса	6-TSOP
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	133 mOhm @ 1.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 15V

SQ3987EV-T1_GE3

SQ3987EV-T1_GE3 характеристики