SQ3585EV-T1_GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.67W
Исполнение корпуса	6-TSOP
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77 mOhm @ 1A, 4.5V, 166 mOhm @ 1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.67W
Исполнение корпуса	6-TSOP
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77 mOhm @ 1A, 4.5V, 166 mOhm @ 1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

SQ3585EV-T1_GE3

SQ3585EV-T1_GE3 характеристики