Каталог товаров
Назад

SIR468DP-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
240
  • 5 шт
    240 ₽
  • 6 шт
    200 ₽
  • 18 шт
    144 ₽
  • 80 шт
    112 ₽
Добавить в корзину 5 шт на сумму 1200
При покупке кэшбэк 180


SIR468DP-T1-GE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс) 5W (Ta), 50W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1720pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Siliconix - Vishay Siliconix

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс) 5W (Ta), 50W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1720pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

SIR468DP-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIR468DP-T1-GE3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Siliconix - Vishay Siliconix

Бесплатная доставка SIR468DP-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — одиночные SIR468DP-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SIR468DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V .04A SOT23
3,000 шт.
535 шт.
от 33.65 ₽
+ 25
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
14400 шт.
от 127.33 ₽
+ 19
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 42.4 ₽
+ 172
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23
1 шт.
598476 шт.
от 104.59 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23
1 шт.
636508 шт.
от 104.59 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23
1 шт.
12711 шт.
от 104.59 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
26869 шт.
от 86.4 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
1 шт.
522368 шт.
от 100.04 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
1 шт.
67148 шт.
от 95.5 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
1 шт.
756695 шт.
от 104.59 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
24078 шт.
от 93.22 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
1 шт.
22548 шт.
от 100.04 ₽
+ 15