Каталог товаров
Назад

SIR106DP-T1-RE3

  • Описание
    MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
434
  • 1 шт
    434 ₽
  • 10 шт
    333 ₽
  • 100 шт
    258 ₽
  • 500 шт
    207 ₽
  • 1000 шт
    190 ₽
  • 3000 шт
    175 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 434
При покупке кэшбэк 65 баллов


SIR106DP-T1-RE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET® Gen IV
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс) 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3610pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Vishay / Siliconix

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET® Gen IV
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс) 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3610pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

SIR106DP-T1-RE3

  • Описание
    MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Vishay / Siliconix

Бесплатная доставка SIR106DP-T1-RE3 по России

Транзисторы — полевые — одиночные SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SIR106DP-T1-RE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Недавно просмотренные


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V .04A SOT23
3,000 шт.
542 шт.
от 22 ₽
+ 9900 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
14500 шт.
от 20.7 ₽
+ 93150 баллов
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 27.5 ₽
+ 1386 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23
1 шт.
163 шт.
от 27.6 ₽
+ 290 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23
1 шт.
2578 шт.
от 17 ₽
+ 191250 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23
1 шт.
312 шт.
от 21.4 ₽
+ 9630 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
3799 шт.
от 12.6 ₽
+ 1890 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
1 шт.
3254 шт.
от 15.4 ₽
+ 6930 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
1 шт.
1185 шт.
от 12 ₽
+ 5400 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
1 шт.
8166 шт.
от 25 ₽
+ 23966 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
1586 шт.
от 13.8 ₽
+ 6210 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
1 шт.
2378 шт.
от 16 ₽
+ 7200 баллов