SIHG33N65E-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247AC
Рассеивание мощности (Макс)	313W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	32.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 16.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	173nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4040pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247AC
Рассеивание мощности (Макс)	313W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	32.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 16.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	173nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4040pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3 характеристики