Каталог товаров
Назад

SIA912DJ-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6


SIA912DJ-T1-GE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 6.5W
Исполнение корпуса PowerPAK® SC-70-6 Dual
Base Part Number SIA912
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 12V
Ток стока (Id) @ 25°C 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 6V

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 6.5W
Исполнение корпуса PowerPAK® SC-70-6 Dual
Base Part Number SIA912
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 12V
Ток стока (Id) @ 25°C 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 6V

SIA912DJ-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
SIA912DJ-T1-GE3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка SIA912DJ-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — массивы SIA912DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SIA912DJ-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1211 ₽
+ 90825 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
55 шт.
от 1057 ₽
+ 79275 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 1057 ₽
+ 79275 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
12 шт.
от 795 ₽
+ 59625 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
18 шт.
от 1260 ₽
+ 189000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1134 ₽
+ 85050 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
86 шт.
от 823 ₽
+ 61725 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
13 шт.
от 687 ₽
+ 103050 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
161 шт.
от 764 ₽
+ 57300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
653 шт.
от 690 ₽
+ 51750 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
122 шт.
от 779 ₽
+ 116850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
40 шт.
от 690 ₽
+ 51750 баллов