SI9933CDY-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.1W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	SI9933
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	665pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.1W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	SI9933
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	665pF @ 10V

SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3 характеристики